Phương pháp xử lý bề mặt đế Silic ở nhiệt độ thấp ứng dụng trong kỹ thuật tăng trưởng epitaxy chùm phân tử

Quy trình làm sạch bề mặt đế Silic (Si) theo hai giai đoạn đã được khảo sát để ứng dụng cho kỹ thuật tăng trưởng epitaxy chùm phân tử (MBE- Molecular Beam Epitaxy). Giai đoạn thứ nhất, mẫu được làm sạch theo phương pháp hóa học để loại bỏ sự nhiễm bẩn của các hợp chất hữu cơ đồng thời tẩy sạch lớp oxit SiO2 tự nhiên với chất lượng bề mặt thấp và sau đó tạo mới một lớp mỏng SiO2 để bảo vệ bề mặt trước khi đưa vào buồng tăng trưởng MBE.

Từ khóa: Kỹ thuật tăng trưởng epitaxy chùm phân tử, Làm sạch đế Silic, Kỹ thuật MBE, Bốc bay nhiệt, Nhiễm bẩn carbon, Oxit SiO2, Buồng tăng trưởng MBE