Tài liệu Thư viện số

Danh mục TaiLieu.VN

Chế tạo vật liệu nanocomposite (CuNWs/ANF) có khả năng chắn nhiễu điện từ

Bài viết Chế tạo vật liệu nanocomposite (CuNWs/ANF) có khả năng chắn nhiễu điện từ tập trung nghiên cứu tổng hợp nên tấm film nano từ vật liệu đồng nanowires (CuNWs) kết hợp với sợi nano aramid (ANF). Tấm film nano tạo thành có độ dẫn nhiệt cao, có khả năng chắn nhiễu điện từ (EMI) và có độ bền cơ học vượt trội.

Từ khóa: Sợi nano đồng, Độ bền nhiệt, Chế tạo vật liệu nanocomposite, Nhiễu điện từ, Tấm film nano

8 p tailieu_cntp 26/01/2024 17 0

Bình luận